[发明专利]自更新装置及方法无效
| 申请号： | 200310120480.7 | 申请日： | 2003-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN1521639A | 公开（公告）日： | 2004-08-18 |
| 发明（设计）人： | 金泰润 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/16 | 分类号： | G06F12/16;G06F11/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邸万奎;黄小临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种自更新装置及方法。在根据本发明的自更新方法中，当对存储体执行局部阵列自更新操作时，在对应于更新率的预定周期内对内部地址计数，而不需考虑PASR类型。根据PASR类型来选择性地启动存储体。结果，可防止因半个存储体自更新操作或四分之一个存储体自更新操作而发生的误差。 | ||
| 搜索关键词： | 更新 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自更新装置包括：内部地址计数器，用于响应内部操作信号，输出内部地址；更新控制器，用于响应更新命令信号，输出具有预定周期的内部操作信号，并且在施加局部存储体更新信号以对存储体执行局部阵列自更新时，输出用于选择性地启动存储体的具有预定周期的更新操作信号；以及行地址选通发生器，用于响应更新操作信号，选择性地启动存储体。
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