[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200310120660.5 | 申请日： | 2003-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1508868A | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 梶成彦 | 申请（专利权）人： | 半导体先端科技株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在硅衬底1上形成多孔性MSQ(2)，在其上形成SiC掩模3。通过以该SiC掩模3为掩模的等离子体刻蚀，在多孔性MSQ(2)上形成布线沟槽5。在包含布线沟槽5的侧面的硅衬底1的整个面上形成氟化聚(苯二甲基)膜6，除去在布线沟槽5的侧面以外形成的不需要的氟化聚(苯二甲基)膜6。在布线沟槽5内形成阻挡层金属膜和籽晶层，淀积金属。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：在衬底上形成的多孔性的低介电常数膜；在上述低介电常数膜内形成的开口部；仅覆盖上述开口部的侧面、介电常数为3以下的绝缘膜；以及在上述开口部内形成的导电体膜。
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