[发明专利]半导体器件的制作方法，半导体器件以及电子产品有效
| 申请号： | 200310120685.5 | 申请日： | 2003-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN1508844A | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;高山彻;丸山纯矢;大野由美子;田中幸一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;王勇 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是在不实施造成裂缝以及研磨痕迹的背面研磨处理的情况下，提供一种封装以及其制作方法，该封装可以使芯片飞跃性地变薄，而且可以制作出低成本并且高产量的芯片，还可以抑制芯片厚度的不均匀。本发明用连续振荡的激光晶化形成在作为支撑物发挥作用的衬底上的膜的厚度等于或少于500nm的半导体薄膜，然后用该晶化过的半导体膜形成芯片，该芯片具有总膜厚为5μm，优选等于或少于2μm的薄膜的半导体元件。并且，在最后衬底被剥离的状态下，该芯片被安装到内插板。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 以及 电子产品 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，它包括以下步骤：在第一衬底上形成半导体膜；对所述半导体膜辐照第一激光以及第二激光，并使被双方辐照的区域重叠从而晶化所述半导体膜；用所述晶化过的半导体膜形成半导体元件；在所述半导体元件上粘合第二衬底；从所述半导体元件去除所述第一衬底；在所述半导体元件上粘合内插板；以及从所述半导体元件去除所述第二衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200310120685.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：局部存在有单晶氮化镓的基底及其制备方法
- 下一篇：光阻供应系统及方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
