[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200310120769.9 | 申请日： | 2003-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN1505103A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 冈村秀亮;山口峰生;佐佐木智幸 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置的制造方法，在由硅构成的半导体基板(1)上，形成硅氧化膜(2)。再在硅氧化膜(2)上形成含碳的抗蚀剂膜。然后对该抗蚀剂膜进行布图，形成抗蚀剂图形(3)。接着将抗蚀剂图形(3)置放在二氧化硫气体中，然后以在二氧化硫气体中置放过的抗蚀剂图形(3)作为掩模，对硅氧化膜(2)进行干蚀刻。从而能杜绝抗蚀剂倾倒，实现微小的图形。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：形成由无机材料构成的薄膜的工序；在所述薄膜之上形成含碳的抗蚀剂膜后，对所形成的抗蚀剂膜进行图形化，由所述抗蚀剂膜形成抗蚀剂图形的工序；将所述抗蚀剂图形置放在含硫的气体中的工序；以及将在含硫的气体中置放过的所述抗蚀剂图形作为掩模，对所述薄膜进行干蚀剂的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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