[发明专利]铁电随机存取存储器的制作方法无效
| 申请号： | 200310120832.9 | 申请日： | 2003-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1532915A | 公开（公告）日： | 2004-09-29 |
| 发明（设计）人： | 权纯容;廉胜振 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/469;G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铁电随机存取存储器的制作方法。该方法包括如下步骤：(a)在一个预先长有晶体管的基片上生长第一层间绝缘层；(b)刻蚀第一层间绝缘层，形成存储节点接触孔，露出一部分基片；(c)在存储节点接触孔中掩埋存储节点接触结构，包括塞子和势垒金属层；(d)在第一层间绝缘层和存储节点接触结构上生长粘附层；(e)促使塞子上方的粘附层的特定部分被撕裂；(f)有选择地刻蚀上述被撕裂部分，露出塞子上方的势垒金属层的表面；以及(g)通过势垒金属层露出的表面形成一个和塞子相连接的铁电体电容。 | ||
| 搜索关键词： | 随机存取存储器 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种铁电随机存取存储器的制作方法，包括如下步骤：(a)在一个预先长有晶体管的基片上生长第一层间绝缘层；(b)刻蚀第一层间绝缘层，形成存储节点接触孔，露出一部分基片；(c)在存储节点接触孔中掩埋存储节点接触结构，包括塞子和势垒金属层；(d)在第一层间绝缘层和存储节点接触结构上生长粘附层；(e)促使塞子上方的粘附层的特定部分被撕裂；(f)有选择地刻蚀上述被撕裂部分，露出塞子上方的势垒金属层的表面；以及(g)通过势垒金属层露出的表面形成一个和塞子相连接的铁电体电容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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