[发明专利]含纳米金颗粒的类金刚石碳薄膜的制备方法无效
申请号: | 200310121062.X | 申请日: | 2003-12-24 |
公开(公告)号: | CN1632167A | 公开(公告)日: | 2005-06-29 |
发明(设计)人: | 杨生荣;徐洮;阎兴斌 | 申请(专利权)人: | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
主分类号: | C23C18/12 | 分类号: | C23C18/12 |
代理公司: | 兰州中科华西专利代理有限公司 | 代理人: | 方晓佳 |
地址: | 730000甘肃*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本发明公开了一种含纳米金颗粒的类金刚石碳薄膜的制备方法。该方法配制含有聚碳苯-氯金酸的四氢呋喃先驱体溶液,然后通过旋涂的方法将混合溶液涂附于单晶硅表面,待有机溶剂挥发后,硅表面就形成了氯金酸-聚碳苯薄膜;将涂有薄膜的硅片在氩气保护下在500-700℃温度处理1~2小时,然后自然降至室温,得到含金纳米颗粒的类金刚石碳薄膜。本发明的特点是制备过程简便,一步合成含金属纳米颗粒的类金刚石复合薄膜。该薄膜有望在机械摩擦、电化学电极、金属催化、光学等领域使用。 | ||
搜索关键词: | 纳米 颗粒 金刚石 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种含纳米金颗粒的类金刚石碳薄膜的制备方法,其特征在于该方法配制含有聚碳苯-氯金酸的四氢呋喃先驱体溶液,其中聚碳苯的摩尔浓度为0.01-0.1mol/L,氯金酸为摩尔浓度为0.002-0.02mol/L,然后通过旋涂的方法将混合溶液涂附于单晶硅表面,待有机溶剂挥发后,硅表面就形成了氯金酸-聚碳苯薄膜;将涂有薄膜的硅片在氩气保护下在500-700℃温度处理1~2小时,然后自然降至室温,得到含金纳米颗粒的类金刚石碳薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
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