[发明专利]含纳米金颗粒的类金刚石碳薄膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 200310121062.X 申请日: 2003-12-24
公开(公告)号: CN1632167A 公开(公告)日: 2005-06-29
发明(设计)人: 杨生荣;徐洮;阎兴斌 申请(专利权)人: 中国科学院兰州化学物理研究所
主分类号: C23C18/12 分类号: C23C18/12
代理公司: 兰州中科华西专利代理有限公司 代理人: 方晓佳
地址: 730000甘肃*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明公开了一种含纳米金颗粒的类金刚石碳薄膜的制备方法。该方法配制含有聚碳苯-氯金酸的四氢呋喃先驱体溶液,然后通过旋涂的方法将混合溶液涂附于单晶硅表面,待有机溶剂挥发后,硅表面就形成了氯金酸-聚碳苯薄膜;将涂有薄膜的硅片在氩气保护下在500-700℃温度处理1~2小时,然后自然降至室温,得到含金纳米颗粒的类金刚石碳薄膜。本发明的特点是制备过程简便,一步合成含金属纳米颗粒的类金刚石复合薄膜。该薄膜有望在机械摩擦、电化学电极、金属催化、光学等领域使用。
搜索关键词: 纳米 颗粒 金刚石 薄膜 制备 方法
【主权项】:
1、一种含纳米金颗粒的类金刚石碳薄膜的制备方法,其特征在于该方法配制含有聚碳苯-氯金酸的四氢呋喃先驱体溶液,其中聚碳苯的摩尔浓度为0.01-0.1mol/L,氯金酸为摩尔浓度为0.002-0.02mol/L,然后通过旋涂的方法将混合溶液涂附于单晶硅表面,待有机溶剂挥发后,硅表面就形成了氯金酸-聚碳苯薄膜;将涂有薄膜的硅片在氩气保护下在500-700℃温度处理1~2小时,然后自然降至室温,得到含金纳米颗粒的类金刚石碳薄膜。
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