[发明专利]一种用于低能离子束材料制备方法的离子源装置无效

专利信息
申请号: 200310121178.3 申请日: 2003-12-22
公开(公告)号: CN1632906A 公开(公告)日: 2005-06-29
发明(设计)人: 杨少延;刘志凯;柴春林;蒋渭生 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01J37/08 分类号: H01J37/08;H01J27/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周国城
地址: 100083北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及离子束技术,是一种可在低能离子束材料制备方法中应用的离子源装置,包括弧室体和坩埚两部分,每部分配有辅助加热装置。弧室体与坩埚成一体且前后分离,之间有排进气孔连通;弧室体内装有上下双螺旋状灯丝,增大了弧室热功率和发射的电子密度,灯丝位于上下两端,减小了离子直接溅射,灯丝后有反射板;坩埚为立式,内筒有两种,反应器型可盛装与工作气体反应的固体源材料,工作气体自上而下通过源材料并与之充分反应,蒸发器型可盛装能蒸发出材料气氛的源材料,可调整辅助加热及灯丝电流来控制源的工作温度。本发明结构简单实用,工作性能稳定、束流品质好、离化效率高、源材料选择范围广、产生离子种类多。可用于其他离子束相关技术。
搜索关键词: 一种 用于 低能 离子束 材料 制备 方法 离子源 装置
【主权项】:
1.一种用于低能离子束材料制备方法的离子源装置,包括弧室体与坩埚两部分,每部分配有辅助加热装置,其特征是:弧室体与坩埚成一体且前后分离,弧室体与坩埚之间有排进气孔连通;弧室体内上下两端装有两根螺旋状灯丝,灯丝后有反射板,弧室体前壁的前盖板上有离子引出狭缝;坩埚采用立式,由外壁、内筒和测温热偶构成,外壁与内筒间有空腔,与弧室体相连通的一排进气孔在外壁前侧面。
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