[发明专利]膜处理方法和膜处理装置无效
| 申请号： | 200310121199.5 | 申请日： | 2003-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1510720A | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | 大西正;滨学 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种膜处理方法，其特征在于，包括：将电子束发射到被处理体的膜上以处理所述膜的处理工序；在上述处理工序中，在上述被处理体的附近捕捉电子束以作为电流值进行测量的电流测量工序；根据按时间对上述电流值积分得到的电子量检测出膜处理的终点的检测工序。根据本发明，可实现不会过多或不充分地对被处理体的膜发射电子束，从而可得到适当的膜质。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种膜处理方法，其特征在于，包括：处理工序，将电子束发射到被处理表面的膜上，以处理所述膜；电流测量工序，在所述处理工序中，在所述被处理体的附近捕捉电子束而作为电流值进行测量；检测工序，根据按时间对所述电流值积分所得的电子量检测出膜处理的终点。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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