[发明专利]形成穿透电极的方法以及具有穿透电极的基片无效
| 申请号： | 200310121267.8 | 申请日： | 2003-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN1516241A | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | 山本敏;滝沢功 | 申请（专利权）人： | 株式会社藤仓 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种形成穿透电极的方法，其中导电物质被置入一微孔中，该微孔只有一端被由导电物质形成的布线和垫片封住，而布线和垫片没有破损。在形成穿透电极的方法中，导电物质被置入微孔中，所述微孔穿透基片且一个开口被导电薄膜封住。在支撑导电薄膜的保护元件在基片的导电薄膜侧的表面上配置之后，导电物质从微孔的另一开口置入。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 穿透 电极 方法 以及 具有 | ||
【主权项】：
1、一种形成穿透电极的方法，包括：在基片上至少穿透电极形成位置的部分所对应的基片的第一表面上配置一层导电薄膜；在至少所述导电薄膜上形成一个保护元件；将所述保护元件与所述基片相联结；穿透所述基片形成一个微孔；以及在配置导电薄膜，形成所述保护元件并将其联结，并形成所述微孔之后，将所述导电物质置入所述微孔中，所述导电物质和导电薄膜形成一个穿过所述基片的导电通道，所述导电薄膜封住基片第一表面上的微孔的第一开口，且所述导电物质通过和第一表面相对的基片的第二表面上的微孔的第二开口置入所述微孔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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