[发明专利]浸没式微影制程以及应用于浸没式微影制程的结构有效
申请号: | 200310121326.1 | 申请日: | 2003-12-11 |
公开(公告)号: | CN1627478A | 公开(公告)日: | 2005-06-15 |
发明(设计)人: | 张尚文;刘家助;陈家桢 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 沙捷 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及一种浸没式微影制程,首先在材料层上形成有光阻层,并且在光阻层上形成有阻隔层。接着,进行浸没式曝光步骤,以在光阻层中形成有曝光区以及未曝光区。之后,进行处理步骤,以改变光阻层曝光区上方的阻隔层的性质。随后,进行显影步骤,以移除光阻层曝光区及其上方的阻隔层。由于本发明在光阻层顶部覆盖有阻隔层,因此在进行浸泡式曝光步骤时,光阻层中物质就不会扩散至浸没液中而造成污染。而且,上述阻隔层可以在进行显影步骤中一并图案化,因此可以省去移除阻隔层的步骤,进而简化制程。 | ||
搜索关键词: | 浸没 式微 影制程 以及 应用于 结构 | ||
【主权项】:
1.一种浸没式微影制程,包括:在材料层上形成有光阻层;在所述光阻层上形成有阻隔层;进行浸没式曝光步骤(immersion exposure),以在所述光阻层中形成有曝光区(exposed area)以及未曝光区(non-exposed area);进行处理步骤,以改变所述光阻层的所述曝光区上方的所述阻隔层的性质;以及进行显影步骤,以移除所述光阻层的所述曝光区及其上方的所述阻隔层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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