[发明专利]浸没式微影制程以及应用于浸没式微影制程的结构有效

专利信息
申请号: 200310121326.1 申请日: 2003-12-11
公开(公告)号: CN1627478A 公开(公告)日: 2005-06-15
发明(设计)人: 张尚文;刘家助;陈家桢 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;G03F7/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 沙捷
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明涉及一种浸没式微影制程,首先在材料层上形成有光阻层,并且在光阻层上形成有阻隔层。接着,进行浸没式曝光步骤,以在光阻层中形成有曝光区以及未曝光区。之后,进行处理步骤,以改变光阻层曝光区上方的阻隔层的性质。随后,进行显影步骤,以移除光阻层曝光区及其上方的阻隔层。由于本发明在光阻层顶部覆盖有阻隔层,因此在进行浸泡式曝光步骤时,光阻层中物质就不会扩散至浸没液中而造成污染。而且,上述阻隔层可以在进行显影步骤中一并图案化,因此可以省去移除阻隔层的步骤,进而简化制程。
搜索关键词: 浸没 式微 影制程 以及 应用于 结构
【主权项】:
1.一种浸没式微影制程,包括:在材料层上形成有光阻层;在所述光阻层上形成有阻隔层;进行浸没式曝光步骤(immersion exposure),以在所述光阻层中形成有曝光区(exposed area)以及未曝光区(non-exposed area);进行处理步骤,以改变所述光阻层的所述曝光区上方的所述阻隔层的性质;以及进行显影步骤,以移除所述光阻层的所述曝光区及其上方的所述阻隔层。
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