[发明专利]应力引入间隔层

摘要

受张力和/或压缩力的衬底提高了在其中制造的器件性能。可以通过选择设置在器件沟道区上的栅极侧壁间隔层的适当材料而在衬底上施加张力和/或压缩力，其中间隔层与栅极和衬底相邻地形成，并施加力在相邻的衬底区域上。另一实施例包括使用通过氧化膨胀的多晶硅制成的SOI侧壁间隔层在沟道的平面中施加压缩应力。压缩力或张力下的衬底区域显示出与没有受应力的衬底不同的电荷迁移率特性。通过可控制地改变形成在衬底上的NFET和PFET内的这些应力，已经被证明可以提高IC性能。

主权项

1.一种用于衬底中形成的器件的间隔层结构，每个器件具有在纵向用于导通电荷的沟道，并且每个器件具有与该沟道相邻的栅极端，该结构包括：用于第一个器件的第一间隔层结构，该第一间隔层结构包括与该第一个器件的栅极端的侧壁和它的沟道都相邻的第一应力引入材料，该第一应力引入材料至少在纵向将第一类型的机械应力施加在该第一个器件上；以及用于第二个器件的第二间隔层结构，该第二间隔层结构包括与该第二个器件的栅极端的侧壁和它的沟道都相邻的第二应力引入材料，该第二应力引入材料至少在纵向将第二类型的机械应力施加在该第二个器件上。