[发明专利]用于施加应力图形的隔离结构有效
| 申请号： | 200310121333.1 | 申请日： | 2003-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN1507032A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | D·奇丹巴尔拉奥;O·H·多库马茨;B·B·多里斯;J·A·曼德尔曼 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在张力和/或压缩力作用下的衬底，该衬底可以改善在其中制造的器件的性能。可以通过选择适当的STI填充材料将张力和/或压缩力施加到衬底上。STI区形成在衬底层中，并对相邻的衬底区施加应力。在压缩力或张力作用下的衬底展现出与无应力衬底不同的电荷迁移率特性。通过可控制地改变在衬底上形成的NFET和PFET中的这些应力，可以实现IC性能的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 施加 应力 图形 隔离 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于在衬底中形成的器件的隔离结构，该器件各自具有纵向和横向，该结构包括：用于器件中的第一个器件的第一隔离区，在该第一隔离区中具有第一隔离材料，该材料沿纵向和横向对器件中的第一个器件施加第一种类型的机械应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
