[发明专利]多层片式变阻器及其制造方法有效
| 申请号： | 200310121403.3 | 申请日： | 2003-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1508814A | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 竹花末起一;广濑修;落合利明 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01C7/10 | 分类号： | H01C7/10 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳;彭益群 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的多层片式变阻器100包括变阻器体1、形成于变阻器体1的每个端面之上并且与内电极相连的外电极3a、以及在变阻器体1与外端3a之间形成的玻璃层4，其中变阻器体1包括多个变阻器层1a、1b和1c以及设置成使各变阻器层被夹在中间的内电极2a和2b。此外，镀层3b和3c形成于外电极3a的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 变阻器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多层片式变阻器，它包括：变阻器体，该变阻器体包括多个变阻器层和被设置成使每个变阻器层被夹在中间的内电极；形成于变阻器体的端面之上并且与内电极相连的外电极；和在变阻器体与外电极之间形成的玻璃层。
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