[发明专利]一种半导体材料横向周期搀杂的方法及其装置

摘要

本发明涉及一种实现半导体材料周期搀杂方法及装置，由真空室、原子源、准直孔、反射镜等构成，在半导体材料的生长过程中同时沉积本体材料和被搀杂材料，激光驻波场仅对被搀杂材料起作用，使被搀杂原子在横向形成周期密度分布，本体材料均匀分布，实现半导体材料的周期搀杂。该方法具有操作简便、搀杂周期小(光波长的一半)、效率高(可同时制作数目很大的量子线或量子点)等优点，可广泛应用于新型固态电子、光电子器件及半导体物理理论研究等方面。

主权项

1、一种半导体材料横向周期搀杂方法，其特征在于：首先将需要掺杂的原子束进行初步准直，接着通过线偏振梯度场进行高度准直，然后在入射光和反射光形成的与原子束传播方向垂直的激光驻波场中实现纳米量级的聚焦并沉积在基底上；同时本体材料原子束均匀沉积在基底上，被掺杂原子聚焦在激光驻波场的势能最低点附近，从而实现材料的掺杂。