[发明专利]具有无凹痕浅槽隔离的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200310121509.3 | 申请日： | 2003-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1512559A | 公开（公告）日： | 2004-07-14 |
| 发明（设计）人： | 大田裕之 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人： | 杜娟;董方源 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明所公开的制造半导体器件的方法具有如下步骤：使用包括第一氮化硅膜并具有窗口的图案作为掩模来蚀刻半导体衬底，以形成隔离沟槽；沉积第二氮化硅膜，使其覆盖隔离沟槽的内表面；形成第一氧化硅膜，使其掩埋隔离沟槽；蚀刻并去除隔离沟槽上部区域中的第一氧化硅膜；蚀刻并去除暴露出的第二氮化硅膜；对第二氧化硅膜进行化学机械抛光；以及蚀刻并去除暴露出的第一氮化硅膜。 | ||
| 搜索关键词： | 有无 凹痕 隔离 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：(a)在半导体衬底的表面上形成图案，所述图案包括第一氮化硅膜并具有用于形成隔离沟槽的窗口；(b)用所述图案作为掩模蚀刻所述半导体衬底，以形成隔离沟槽；(c)沉积覆盖所述隔离沟槽内表面的第二氮化硅膜；(d)形成覆盖所述第二氮化硅膜并掩埋所述隔离沟槽的第一氧化硅膜；(f)蚀刻所述第一氧化硅膜，以去除在所述隔离沟槽上部区域中的所述第一氧化硅膜；(g)蚀刻并去除所述第二氮化硅膜的暴露部分；(h)形成掩埋所述隔离沟槽的第二氧化硅膜；(i)用所述第一氮化硅膜作为停止物，对所述第二氧化硅膜进行化学机械抛光；以及(j)蚀刻并去除暴露出的所述第一氮化硅膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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