[发明专利]半导体圆片快速热处理装置及使用方法无效
| 申请号： | 200310121600.5 | 申请日： | 2003-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN1555089A | 公开（公告）日： | 2004-12-15 |
| 发明（设计）人： | 侯东彦;章谦;陈必贤;王舜远 | 申请（专利权）人： | 北京华兴微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 夏宪富 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体圆片快速热处理装置及使用方法，该装置为立式中空电热腔，腔体外侧是用耐火保温材料制成的隔温层、支撑套筒和水冷装片盒状底座，腔体内侧顶端和周边是防污染的屏蔽层，腔体内部上端设有直流电源加热的石墨加热器，在石墨加热器的下方的腔体周壁上设有内反射筒；腔体下端中央位置设有承载半导体圆片的石英片托，该石英片托在其下端片托杆的支承下可沿中空腔体轴线升降运动。本发明藉由石英片托在温度呈稳定梯度分布的立式中空电热腔体内的垂直升降位移，即通过改变石英片托上夹持的半导体圆片与石墨加热器的空间距离远近和停留时间长短来对半导体圆片进行热处理工艺加工。装置结构简单实用，制造成本低，操作方法容易，有应用推广前景。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 快速 热处理 装置 使用方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体圆片快速热处理装置，其特征在于：该装置为立式中空电热腔，腔体外侧是用耐火保温材料制成的隔温层、支撑套筒和水冷装片盒状底座，腔体内侧顶端和周边设有保证净化环境、防止外界污染的屏蔽层，腔体内部上端设有用直流电源加热的石墨加热器，在石墨加热器的下方的腔体周壁上设有内反射筒；腔体下端中央位置设有承载半导体圆片的石英片托，该石英片托在其下端片托杆的支承下能够沿中空腔体轴线升降运动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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