[发明专利]与深亚微米射频工艺兼容的硅光电探测器

摘要

本发明公开了一种高速且与深亚微米射频_互补金属氧化物半导体(RF_CMOS)工艺兼容的硅光电探测器。其采用技术方案是，p^－型半导体衬底内设置有一个深n型阱，n型阱设置于所述衬底上，浅沟槽隔离区设置于n型阱中，四条叉指状的P⁺型扩散区设置在n型阱上；所述四条叉指状的P⁺型扩散区上设置有增透膜层由叉指状的P⁺型扩散区与n型阱构成光电二极管的pn结，由n型阱与P⁺型保护环构成屏蔽二极管。本发明可以应用在很多领域中，例如CD－ROM，数字化视频光盘(DVD)，波长在630－850nm通过塑料光纤传送的数字系统。

主权项

1.一种与深亚微米射频工艺兼容的硅光电探测器，包括一个p-型半导体衬底，其特征在于，所述p-型半导体衬底内设置有一个深n型阱，n型阱设置于所述衬底上，浅沟槽隔离区设置于n型阱中，四条叉指状的P+型扩散区设置在n型阱上；所述四条叉指状的P+型扩散区上设置有增透膜层由叉指状的P+型扩散区与n型阱构成光电二级管的pn结，由n型阱与P+型保护环构成屏蔽二级管。