[发明专利]新型基于电子束的数据存储装置及其使用方法无效

专利信息
申请号: 200310122070.6 申请日: 2003-12-23
公开(公告)号: CN1571047A 公开(公告)日: 2005-01-26
发明(设计)人: H·比雷基;H·-P·郭;S·-T·林;G·A·吉布森 申请(专利权)人: 惠普开发有限公司
主分类号: G11B9/10 分类号: G11B9/10
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 杨凯;陈霁
地址: 美国德*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种超高密度数据存储装置,它包括至少一个能量束发射器(240)和一种数据存储介质(210),该存储介质(210)本身包括有机材料。有机材料可包括一层或多层Langmuir-Blodgett层并可包括导电聚合物。可以利用Langmuir-Blodgett层中是否局部存在有局部无序来检测数据存储介质中形成的数据位。也可利用在有机材料中是否存在一维导电率来读出数据存储介质中形成的数据位。
搜索关键词: 新型 基于 电子束 数据 存储 装置 及其 使用方法
【主权项】:
1.一种数据存储装置(20),包括:第一电极(220)和第二电极(230);存储介质(210),位于所述第一电极和所述第二电极之间,其中所述存储介质包括有机材料(200);以及发射器(240),位于所述存储介质附近,其中所述发射器能够发射能量束。
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