[发明专利]双卢瑟福横向双扩散场效应晶体管导通电阻的测试电路

摘要

本发明涉及一种双卢瑟福横向双扩散场效应晶体管导通电阻的测试电路，包括40伏直流电源和被测器件座，被测器件座具有与被测器件栅、漏、源极连接的C、D、S端；其特点是：在D端与40伏直流电源之间串接电阻R2和开关S2，电阻R2一端与D端连接，开关S2一端与40伏直流电源连接；在C端依次串接开关S1、电阻R1和可调节电源，在C端与接地端之间并联连接两电容C1和C2；在D端与接地端之间并联连接一电容C3。本发明由于在D端与接地间并接大容量高压电容，由此可测得输出电平，通过对比表得出导通电阻，该方法简单且减少测量时间，同时解决了毛刺影响；另外由于在C端与接地端之间并联容量不同的两电容，从而可滤去电源高低频干扰信号，因此极为实用。

主权项

1.一种LDMOS管导通电阻的测试电路，包括：40伏直流电源(1)和被测器件座(2)，该被测器件座(2)具有与被测器件栅极连接的C端、与被测器件漏极连接的D端、与被测器件源极连接的S端；其特征在于：在所述的被测器件座(2)D端与40伏直流电源(1)之间串接电阻R2和开关S2，电阻R2的一端与被测器件座(2)D端连接，开关S2的一端与40伏直流电源(1)连接；在所述的被测器件座(2)C端依次串接开关S1、电阻R1和可调节电源(3)，在被测器件座(2)C端与公共接地端之间并联连接两电容C1和C2；在所述的被测器件座(2)D端与公共接地端之间并联连接一电容C3。