[发明专利]生长碲锰汞晶体的方法

摘要

本发明公开了一种生长碲锰汞晶体的方法，该方法首先根据公式(1)、(2)和具体晶体生长工艺参数和给定晶体生长速度u，计算抽拉速度V与固相长度z的关系，绘出V～z/L关系图；根据V～z/L关系图确定初始抽拉速度、稳定抽拉速度和初始过渡区长度，拟合出初始过渡区的V～z/L关系式V＝a+b×e^cz/L；在初始过渡区逐渐减小抽拉速度，每生长若干距离后就降低一次抽拉速度，直至初始过渡区结束，初始过渡区的抽拉速度与减速位置的关系必须符合拟合的V～z/L关系式。当减速距离逐渐趋近0时，实际抽拉速度就逐渐趋近拟合的V～z/L关系式；保持抽拉速度为上述稳定抽拉速度直至晶体生长结束。该方法可有效改善Hg_1－xMn_xTe晶体轴向组分均匀性，增大组分均匀区长度，提高晶体利用率。

主权项

1、一种生长碲锰汞晶体的方法，其特征在于：1)根据公式$V=u(1-\frac{m_S}{G}·\frac{{\partial C}_{\mathrm{Si}}}{\partial z})---\left(1\right)$ $C_{\mathrm{Si}}=k{C}_0\{1+\frac{1-k}{k}[1+e^{-(4\mathrm{uL}/D)(1-z/L)}+{2e}^{-(2\mathrm{uL}/D)(1-z/L)}$ $-(1+e^{-4(1-k)(\mathrm{uL}/D)(1-z/L)}+{2e}^{-2(1-k)(\mathrm{uL}/D)(1-z/L)})e^{-k(1-k)(\mathrm{uL}/D)z}\left]\right\}---\left(2\right)$ 和具体晶体生长工艺参数以及给定晶体生长速度u，计算出抽拉速度V与固相长度z的关系，绘出V～z/L关系图；2)根据V～z/L关系图确定初始抽拉速度、稳定抽拉速度和初始过渡区长度，拟合出初始过渡区的V～z/L关系式 V＝a+b×ecz/L 3)晶体生长开始时的抽拉速度为上述初始抽拉速度；4)在初始过渡区逐渐减小抽拉速度，每生长若干距离后就降低一次抽拉速度，直至初始过渡区结束。初始过渡区的抽拉速度与减速位置的关系必须符合拟合的V～z/L关系式。当减速距离逐渐趋近0时，实际抽拉速度就逐渐趋近拟合的V～z/L关系式；5)保持抽拉速度为上述稳定抽拉速度直至晶体生长结束。