[发明专利]光刻装置及器件制作方法无效
| 申请号： | 200310122295.1 | 申请日： | 2003-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN1504832A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | K·西蒙;J·洛夫;A·W·E·明纳尔特;E·M·J·斯米特斯 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 章社杲 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 将包括若干分离小室的流体室提供到基底台上，以使流体可接触基底暴露的区域以与之相互作用。可由此实施一系列曝光和化学处理而没有将基底从基底台上移走。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 装置 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种光刻投射装置包括：一辐射系统，以提供辐射投射光束；一构图部件，用于根据需要的图案对该投射光束进行构图；一基底台，以支持一基底；及一投射系统，以将该带图案的光束投射到该基底的靶部上，一流体处理单元，其与保持在所述基底上的基底的一个表面流体连接，由此一种流体能与所述基底接触以使之与所述靶部相互作用；其特征在于：所述流体处理单元包括若干与保持在基底台上的基底各自的区域流体连接的分离的小室，因此基底上的不同区域可同时面对不同的流体或曝光处理。
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