[发明专利]一种电真空器件用同轴输能窗及封接方法无效
| 申请号： | 200310122329.7 | 申请日： | 2003-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1630010A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | 王自成;肖茂贺;赵建东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | H01J19/00 | 分类号： | H01J19/00;H01J23/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100080*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及电真空器件，特别是一种电真空器件用新型同轴输能窗及其封接方法。其封接方法，包括制备外导体、内导体和窗瓷，并进行相关处理，焊接为毛坯件，其不对窗瓷的中心孔内壁进行金属化；且包括：制备氧化物焊料环；将制备的氧化物焊料环置于内导体外周缘和窗瓷的中心孔内壁之间，定位；将得到的半成品置于高温炉中加热，至氧化物焊料环熔化，使窗瓷与内导体经金属氧化物良好浸润并封接起来；高温炉冷却后，得成品同轴输能窗。本发明的同轴输能窗，其中的介电材料层由窗瓷层和氧化物焊料环层组成，将同轴输能窗的驻波比做到更小，且适宜于用到更高的频段。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 真空 器件 同轴 输能窗 方法 | ||
【主权项】：
1、一种电真空器件用同轴输能窗，由外导体、内导体和窗瓷组成，窗瓷置于外导体内孔的台阶上，焊固，内导体置于窗瓷的中心孔中轴线上，其特征在于，在内导体外周缘和窗瓷的中心孔内壁之间有氧化物焊料环封接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电子学研究所，未经中国科学院电子学研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200310122329.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电吸收调制分布反馈半导体激光器件的制作方法
- 下一篇：折叠容器
