[发明专利]半导体器件及保持电路有效
| 申请号： | 200310122341.8 | 申请日： | 2003-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN1508883A | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 北畠真;麻田和彦;山下秀和;长泻信义;登一博;大森英树;小川正则 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/00;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 张立岩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件。其目的在于：在抑制电力损失的同时，提供实现小面积化的开关元件。本发明的半导体器件由至少两个开关元件、且元件衬底的主面一侧相互重叠而构成。开关元件包括由宽带隙半导体构成的衬底、设置在衬底的主面一侧的源电极及栅极电极、和设置在衬底的背面上的漏电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 保持 电路 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其特征在于：包括所述第1晶体管和所述第2晶体管，所述第1晶体管拥有由宽带隙半导体构成且含有第1导电型杂质的第1衬底、设置在所述第1衬底的主面一侧的第1电极、设置在所述第1衬底的背面一侧的第2电极和设置在所述第1衬底的主面一侧的第1控制电极；所述第2晶体管拥有由宽带隙半导体构成且含有第1导电型杂质的第2衬底、设置在所述第2衬底的主面一侧且与所述第1电极用电气的方法相连接的第3电极、设置在所述第2衬底的背面一侧的第4电极和设置在所述第2衬底的主面一侧的第2控制电极，第2晶体管与所述第1晶体管电气特性相同，所述第1晶体管和所述第2晶体管相互重叠，使所述第1衬底的主面一侧和所述第2衬底的主面一侧相对。
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