[发明专利]电吸收调制分布反馈半导体激光器件的制作方法无效
| 申请号： | 200310122343.7 | 申请日： | 2003-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1630149A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | 胡小华;李宝霞;朱洪亮;王圩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种电吸收调制分布反馈半导体激光器的制作方法，包括如下步骤：1)在InP衬底上同一次外延中先后生长InP缓冲层、下波导层、量子阱A、InP刻蚀阻止层和多量子阱B；2)采用化学湿法选择腐蚀去掉调制器区的多量子阱B，留下多量子阱A；3)全面积在激光器区和调制器区外延生长上波导层和InP盖层；4)采用全息曝光发有选择地在激光器区制作光栅，然后全面积外延生长光栅掩盖层、1.2Q刻蚀阻止层、p型InP光限制层以及电接触层。 | ||
| 搜索关键词： | 吸收 调制 分布 反馈 半导体激光器 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种电吸收调制分布反馈半导体激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在InP衬底上同一次外延中先后生长InP缓冲层、下波导层、量子阱A、InP刻蚀阻止层和多量子阱B；2)采用化学湿法选择腐蚀去掉调制器区的多量子阱B，留下多量子阱A；3)全面积在激光器区和调制器区外延生长上波导层和InP盖层；4)采用全息曝光发有选择地在激光器区制作光栅，然后全面积外延生长光栅掩盖层、1.2Q刻蚀阻止层、p型InP光限制层以及电接触层。
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