[发明专利]新结构肖特基毫米波混频二极管无效
申请号: | 200310122345.6 | 申请日: | 2003-12-16 |
公开(公告)号: | CN1630101A | 公开(公告)日: | 2005-06-22 |
发明(设计)人: | 张海英 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L29/872 | 分类号: | H01L29/872 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100029*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明一种新结构肖特基毫米波混频二极管,其芯片的外延结构为:在砷化镓衬底上生长一层重掺杂砷化镓第一外延层,在第一外延层的上面生长一层轻掺杂砷化镓第二外延层。本发明优化设计了外延层结构。 | ||
搜索关键词: | 结构 肖特基 毫米波 混频 二极管 | ||
【主权项】:
1、一种新结构肖特基毫米波混频二极管,其特征在于,芯片的外延结构为:在砷化镓衬底上生长一层重掺杂砷化镓第一外延层,在第一外延层的上面生长一层轻掺杂砷化镓第二外延层。
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