[发明专利]埋入式沟槽电容器及其制造方法无效
| 申请号： | 200310122360.0 | 申请日： | 2003-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1630064A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | 徐生旭;陈锡杰;陈全基 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种埋入式沟槽电容器及其制造方法。其方法系在沟槽下部的基底中形成一埋入电极区，再在埋入电极区暴露出的表面形成第一掩模层。之后，进行自匮乏原子层沉积制作工艺，以便在第一掩模层以外的沟槽表面形成第二掩模层。随后，进行热氧化制作工艺，以便在沟槽表面的暴露出的区域形成一领氧化层，再将第一与第二掩模层除去。然后，在沟槽表面形成一电容介电层。接着，在低于领氧化层顶部的沟槽内形成一第一导电层，再除去暴露出的电容介电层。由于本发明先制作领氧化层再填入导电层，所以可简化制作工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 埋入 沟槽 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种埋入式沟槽电容器的领氧化层的制造方法，包括：提供一基底，在该基底中形成有一沟槽；在该沟槽下部的表面形成一第一掩模层；进行一自匮乏原子层沉积制作工艺，以便在该第一掩模层以外的部分该沟槽表面形成一第二掩模层，该第二掩模层与该第一掩模层在该沟槽侧壁相距一段距离，而暴露出该沟槽侧壁的部分该基底；进行一热氧化制作工艺，以便在该沟槽侧壁暴露的部分该基底形成一领氧化层；
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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