[发明专利]电容介电层结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200310122361.5 | 申请日： | 2003-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1630043A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | 巫勇贤;庄慧伶 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L21/82;H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种电容介电层的结构及制造方法。此电容介电层结构具有一预定电容结构的基底、一氮化物层形成在预定电容结构的表面上，及一氮氧化物层形成在氮化物层之上，以形成一硅/氮化物/氮氧化物的堆栈结构。其中，氮氧化物层是在湿式氧化制作工艺中加入氧化亚氮进行反应而得，随后并使用氧化亚氮进行高温退火处理。此结构不但具有较高的介电常数，还由于使用不含氢的气体反应，因此可有效降低漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 介电层 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电容介电层结构，至少包括：一基底，具有至少一预定电容结构；一氮化物层形成在该预定电容结构的表面；以及一氮氧化物层形成在该氮化物层的表面，其中该氮氧化物层是利用氧化亚氮(N2O)来进行湿式氧化法与高温退火处理而得。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
