[发明专利]功率晶体管及使用它的半导体集成电路无效
| 申请号： | 200310122558.9 | 申请日： | 2003-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN1507070A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 前田晃幸 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/72 | 分类号： | H01L29/72;H01L29/732;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种功率晶体管，还有使用该功率晶体管的半导体集成电路，在该晶体管中可防止寄生PNP晶体管的不正常起动和由于周边电路闭塞引起的电路故障。在由配置在P型硅基底上的多个垂直式PNP晶体管组成的功率晶体管中，在功率晶体管的有源区中制作了为把P型硅基底与多个垂直式PNP晶体管的集电极彼此隔离开来而形成的N+型隐埋层的单个或多个电极部分。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 晶体管 使用 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种功率晶体管，其特征在于，包括形成在P型硅基底上的多个垂直式PNP晶体管，其中为把P型硅基底与多个垂直式PNP晶体管彼此隔开来而形成的N+型隐埋层的单个或多个电极部分制作在功率晶体管的有源区中。
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