[发明专利]异质接面双极晶体管制造方法

摘要

本发明揭露了一种异质接面双极晶体管制造方法。此方法使用同步蒸气(In－Situ Steam)产生氧化层而非传统的等离子体辅助化学气相沉积的氧化层，以使得基极/集电极接面损害可被降低，再者，本发明使用双步骤的外质基极离子植入法以形成二个不同杂质浓度的外质基极，基极的电阻可因此而被降低。

主权项

1.一种制造异质接面双极晶体管的方法，该制造异质接面双极晶体管的方法包含：提供一基板，该基板具有一集电极于其内与一基极层于该基板之上、一氧化层于该基极层之上与一多晶硅层于该氧化层之上；形成一第一光阻层于该多晶硅层之上；以具有一线形图案案的一光罩将该线形图案转移至该第一光阻层以形成一射极窗图案案；以该射极窗图案为蚀刻遮罩蚀刻该多晶硅层以露出该氧化层；执行一第一离子植入步骤于该基极层上以形成一第一外质基极区域；移除该射极窗图案；形成一介电层于该多晶硅层及该氧化层之上；薄化该介电层以露出该多晶硅层；移除该多晶硅层以露出该氧化层；蚀刻该露出的氧化层以露出该基极层；形成一射极层于该基极层和该介电层之上；形成一第二光阻层于该射极层之上；转移一射极图案进入该第二光阻层；以该射极图案为蚀刻遮罩，蚀刻该射极层以形成一射极并露出该氧化层；以及执行一第二离子植入步骤以形成第二外质基极区域。