[发明专利]硅化金属制造的方法有效
| 申请号： | 200310122564.4 | 申请日： | 2003-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN1627483A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | 吴炳昌 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/321 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 在此揭露硅化金属(silicide)制造的处理方法。首先，有一半导体结构具有一半导体表面与一绝缘表面。其次，在半导体表面形成一外延层。接着，处理半导体结构，其中处理步骤中对绝缘表面的移除速率大于对外延层的移除速率，然后，在形成外延层的半导体结构上形成一金属层，最后，加热外延层以形成硅化金属。经过上述的处理步骤，可避免于绝缘表面上形成硅化金属而造成元件品质上的劣化。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成硅化金属(silicide)的处理方法，包含：提供一半导体结构，该半导体结构具有一半导体表面与一绝缘表面；形成一外延层于该半导体表面上；处理该半导体结构，其中，该处理步骤中对该绝缘表面的移除速率大于对该外延层的移除速率；形成一金属层于该外延层上；以及加热该外延层以形成一硅化金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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