[发明专利]半导体装置无效
申请号: | 200310122583.7 | 申请日: | 2003-12-10 |
公开(公告)号: | CN1519862A | 公开(公告)日: | 2004-08-11 |
发明(设计)人: | 仲矢修治;林光昭 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G11C17/00 | 分类号: | G11C17/00;G11C17/18;H01L27/112 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 包于俊 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供将缺陷存储单元置换成地址存储电路及数据存储电路的情况下的数据读出时间与从存储单元阵列读出数据的情况下的数据读出时间相等的,芯片面积小的半导体装置。本发明的半导体装置具有:共用输出数据线,根据存储装置选择信息及地址信息输出从存储单元读出的数据的多个读出专用存储装置和转换装置,所述转换装置具有:存储缺陷存储单元的存储装置选择信息及地址信息的地址存储电路;存储缺陷存储单元的置换数据的数据存储电路;以及输入通过输出数据线输出的,读出专用存储装置的输出数据与数据存储电路的输出数据,根据地址存储电路存储的存储装置选择信息及地址信息,输出其中一方的转换电路。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,具有根据存储装置选择信息及地址信息输出从存储单元读出的数据的读出专用存储装置和转换装置,所述转换装置具有存储所述读出专用存储装置的缺陷存储单元的所述地址信息的地址存储电路;存储所述缺陷存储单元的置换数据的数据存储电路;以及输入所述读出专用存储装置的输出数据与所述数据存储电路的输出数据,根据所述地址存储电路存储的地址信息,输出任一方的转换电路。
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