[发明专利]使用聚焦离子束于供物性失效分析的多层半导体中曝露所欲层的方法无效
| 申请号： | 200310122586.0 | 申请日： | 2003-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN1506671A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 洪文治;李文彬 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N27/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种针对包含多个晶粒的半导体晶片或封装品的缺陷检测方法，这种方法包括对半导体晶片或封装品进行电性失效分析；确认该多个晶粒的至少一个晶粒中的缺陷；在该至少一个缺陷晶粒中确认要进行分析的目标层；以聚焦离子束设备移除已确认的缺陷晶粒的至少一上方层；以及曝露出将供物性缺陷分析的整个目标层。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 聚焦 离子束 物性 失效 分析 多层 半导体 曝露 方法 | ||
【主权项】：
1.一种于多层半导体装置中曝露一目标层的方法，其中于该目标层上方重叠有至少一上方层，该方法包括：以一聚焦离子束设备移除该至少一上方层；以及曝露出该目标层的整个区域。
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