[发明专利]掺铈的钇铝石榴石晶体的生长方法

摘要

一种掺铈的钇铝石榴石的生长方法，其特征在于该方法的关键是在生长掺铈钇铝石榴石的原料的配方中，掺入一定量的Sc₂O₃或Lu₂O₃，其原料配方的摩尔比为：Al₂O₃∶Y₂O₃∶CeO₂+A₂O₃＝5∶3(1－x－y)∶6x∶3y其中0.1％≤x≤10.0％，0.1x≤y≤x；A₂O₃为Sc₂O₃或Lu₂O₃。本发明能在很大程度上改善因为Ce³⁺和Y³⁺之间较大的半径适配而造成的晶格畸变，降低位错密度，提高钇铝石榴石晶体的闪烁性能。

主权项

1、一种掺铈的钇铝石榴石的生长方法，其特征在于该方法的关键是在生长掺铈钇铝石榴石的原料配方中，掺入一定量的Sc2O3或Lu2O3，其原料配方的摩尔比为：Al2O3∶Y2O3∶CeO2∶A2O3＝5∶3(1-x-y)∶6x∶3y其中0.1％≤x≤10.0％，0.1x≤y≤x；A2O3为Sc2O3或Lu2O3。