[发明专利]电流源的单电流偏置电路有效
| 申请号： | 200310122661.3 | 申请日： | 2003-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1632706A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 刘家洲 | 申请（专利权）人： | 上海贝岭股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/46 | 分类号： | G05F1/46 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 周成 |
| 地址： | 20023*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电流源的单电流偏置电路，包括数个相串接的MOS管，在两只相邻的MOS管中，一只MOS管的源极与另一只MOS管的漏极相接，位于最上端的MOS管的漏极接恒流源，最上端的MOS管与其相邻的MOS管的栅极相并接后也接至恒流源，位于最下端的MOS管的源极接公共端，该MOS管的栅极接至与其相邻的MOS管的漏极，与最下端MOS管相邻的MOS管的栅极接至最上端的MOS管的源极，同时，与最上端的MOS管相邻的MOS管为输出管，其漏源极作为偏置电路的输出。该偏置电路既克服了传统的偏置电路中存在的两路偏置存在的损耗大缺点，又克服了采用单路的偏置电路中存在的输出节点电压动态范围小的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 偏置 电路 | ||
【主权项】：
1、一种电流源的单电流偏置电路，其特征在于：该偏置电路包括数个相串接的MOS管，在两只相邻的MOS管中，一只MOS管的源极与另一只MOS管的漏极相接，位于最上端的MOS管的漏极接恒流源，最上端的MOS管与其相邻的MOS管的栅极相并接后也接至恒流源，位于最下端的MOS管的源极接公共端，该MOS管的栅极接至与其相邻的MOS管的漏极，与最下端MOS管相邻的MOS管的栅极接至最上端的MOS管的源极，同时，与最上端的MOS管相邻的MOS管为输出管，其漏源极作为偏置电路的输出。
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