[发明专利]大功率MOS晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200310122683.X | 申请日： | 2003-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1632953A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 陈志伟;缪进征;居宇涵;李建文 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大功率MOS晶体管及其制造方法，多晶硅栅高出硅平面，其制造工艺流程非常简单，在现有的工艺流程基础上，将步骤2、3移到最后两个步骤进行操作，即可实现。本发明通过改善多晶硅栅的形状，即使在器件尺寸缩小以后，仍然能保持一定的多晶硅栅的截面积，栅极的电阻不至于增加，从而保持并改善器件的频率特性。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 mos 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种大功率MOS晶体管，其特征是多晶硅栅高出硅平面。
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