[发明专利]可分别对双镶嵌工艺的中介窗与沟槽进行表面处理的方法无效
| 申请号： | 200310122691.4 | 申请日： | 2003-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1632940A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 郭强 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3105;H01L21/321;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用具有倾斜角度的电浆来分别针对双镶嵌工艺的中介窗的底部与沟槽的表面进行表面处理的方法，其能达到在中介窗与沟槽刻蚀工艺后针对中介窗底部的刻蚀残留物和/或金属表面氧化物进行移除，以及对沟槽表面进行表面处理，来避免可能产生的电性不佳与增加沟槽表面与阻障金属层的附着力之目的，进而解决通常技术里无法针对中介窗与沟槽分别进行表面处理的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 分别 镶嵌 工艺 中介 沟槽 进行 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可分别对双镶嵌工艺的中介窗与沟槽进行表面处理的方法，其包括有下列步骤：提供一具有集成电路组件的半导体基底，其上依次形成有一金属层与一内金属介电层，而该内金属介电层上已依次形成一中介窗与一沟槽；对该中介窗底部进行一第一次电浆表面处理；以及对该沟槽表面进行一第二次电浆表面处理，且该第二次电浆表面处理时的离子束前进方向与该中介窗底部的法线成一角度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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