[发明专利]一种高压集成电路的制造方法有效
| 申请号： | 200310122698.6 | 申请日： | 2003-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1632944A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 黄海涛;陆晓敏 | 申请（专利权）人： | 上海贝岭股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 罗大忱 |
| 地址： | 20023*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高压集成电路的制造方法，其包括如下步骤：选择衬底材料；在所述衬底材料上形成P型下隔离埋层；生长外延层；形成深N型层区域；形成P型上隔离埋层；形成P型衬底区域及P形环；进行场氧化以生长氧化层；淀积多晶硅并进行多晶硅刻蚀；形成P+区及N+区域；进行接触孔的腐蚀，沉积一层硅化铝，然后光刻铝层，刻蚀硅化铝；淀积一层氮化硅作为保护层。采用本发明的方法可制造耐压达200V的集成电路，其中包含常规CMOS和高压NDMOS和PDMOS。该方法可用于PDP驱动电路、摩托车打火电路的制造。可实现采用该类高压工艺的电路的部分实国产化，填补国内高压CMOS工艺的空白。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高压集成电路的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：选择衬底材料；在所述衬底材料上形成P型下隔离埋层；生长外延层；形成深N型层区域；形成P型上隔离埋层；形成P型衬底区域及P形环；进行场氧化以生长氧化层；淀积多晶硅并进行多晶硅刻蚀；形成P+区域及N+区域；进行接触孔的腐蚀，沉积一层硅化铝，然后光刻铝层，刻蚀硅化铝；淀积一层氮化硅作为保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
