[发明专利]场发射显示器件的高真空封装方法无效

专利信息
申请号: 200310122881.6 申请日: 2003-12-30
公开(公告)号: CN1556540A 公开(公告)日: 2004-12-22
发明(设计)人: 冯涛;张继华;王曦;柳襄怀;李琼 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: H01J9/26 分类号: H01J9/26;H01J9/385;H01J9/40;H01J9/00;C03B23/20
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 代理人: 潘振甦
地址: 200050*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及了一种场发射显示器件的高真空封装方法,属于场发射显示器领域。该封装方法包括密封玻璃放置步骤、场发射显示器件装配步骤、抽真空步骤、加热封边步骤、冷却步骤,其中场发射显示器件抽真空与加热封边是在真空室中一次完成的。本发明的方法与传统的场发射显示器件封装方法相比,其特点在于:(1)省去了与器件相连接的抽气管道,使抽真空系统与真空室直接匹配,大大提高了抽真空速度和效率;(2)大大简化了器件的封装程序,降低了生产成本;(3)在高温下抽真空(300℃以上),有助于阴阳极玻璃面板内表面吸附的水分充分排出器件内部空间,使封接后的器件真空度更高、更稳定;(4)由于不需要留排气口,封装后的器件更加美观。
搜索关键词: 发射 显示 器件 真空 封装 方法
【主权项】:
1、一种场发射显示器件的高真空封装方法,其特征在于采用真空热熔密封一次完成。
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