[发明专利]用于高密度等离子体制程的注射装置无效
| 申请号： | 200310122888.8 | 申请日： | 2003-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1632909A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 陈建维;温家琳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/205;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海隆天新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 竺明;谢晋光 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于高密度等离子体制程的注射装置，包括：一第一注射管，上述第一注射管可以让一第一反应气体通过；一第二注射管，上述第二注射管包围在上述第一注射管的外围，上述第二注射管可以让一缓冲气体(cushionygas)通过；以及，一第三注射管，上述第三注射管包围在上述第二注射管的外围，上述第三注射管可以让一第二反应气体通过；当上述第一反应气体、缓冲气体(cushiony gas)与第二反应气体分别流出上述第一注射管、第二注射管与第三注射管时，上述缓冲气体(cushiony gas)介于第二反应气体与第一反应气体之间，因此可以防止上述第二反应气体与第一反应气体提早反应的情形发生。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高密度 等离子 体制 注射 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于等离子体制程的注射装置，包括：一第一注射管，该第一注射管可让一第一反应气体通过；一第二注射管，该第二注射管包围在该第一注射管的外围，该第二注射管可让一缓冲气体通过；以及一第三注射管，该第三注射管包围在该第二注射管的外围，该第三注射管可让一第二反应气体通过；当该第一反应气体、该缓冲气体与该第二反应气体分别流出该第一注射管、该第二注射管与该第三注射管时，该缓冲气体介于该第二反应气体与该第一反应气体之间，防止该第二反应气体与该第一反应气体提早反应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
