[发明专利]控片回收再生方法以及其控片结构有效
| 申请号： | 200310122889.2 | 申请日： | 2003-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1632910A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 刘勇;何永根;朴松源 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海隆天新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 竺明;谢晋光 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种回收再生利用控片的方法，包含：沉积一氮化硅膜(SiN film)于控片之上；以及将披覆薄膜的控片浸泡于一混合溶液中以利于去除上述披覆的薄膜，该混合溶液包含HF、HNO3、DIW(去离子水)。其中上述混合溶液成分为HF∶HNO3∶DIW(去离子水)＝1∶6∶4，混合溶液的HF浓度为49％，的HNO3浓度为70％。控片浸泡在200％过度蚀刻的条件下浸泡四分钟以及控片浸泡在在室温下操作。一种回收再生利用控片的控片结构，包含一衬底以及一氮化硅膜(SiN film)形成于衬底之上；以及该控片可被浸泡于一混合溶液中以利于去除披覆的薄膜，该混合溶液包含HF、HNO3、DIW(去离子水)。采用上述方法可以降低控片回收利用的成本，提高速度。 | ||
| 搜索关键词： | 回收 再生 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
1.一种回收再生利用控片的方法，其特征在于包含：沉积一氮化硅膜于控片之上；以及将披覆薄膜的控片浸泡于一混合溶液中以利于去除上述披覆的薄膜，该混合溶液包含HF、HNO3、DIW。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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