[发明专利]一种提高后道铜布线抗电迁移性的方法无效
| 申请号： | 200310122900.5 | 申请日： | 2003-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1555092A | 公开（公告）日： | 2004-12-15 |
| 发明（设计）人： | 胡恒声 | 申请（专利权）人： | 上海华虹（集团）有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/321 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 滕怀流;陶金龙 |
| 地址： | 200020上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于集成电路制造工艺技术领域，为一种提高后道铜布线抗电迁移性的方法。具体是在完成铜淀积后，采用离子注入将一些离子注入到硅片表面的铜中，使在随后的快速热处理过程中，在发生再结晶的同时，注入的离子聚集到晶粒边界和铜线表面，提高了抗电迁移特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 后道铜 布线 迁移性 方法 | ||
【主权项】：
1、一种提高后道铜布线抗电迁移性的方法，其特征在于在完成纯铜的淀积后，采用离子注入的方法注入杂质原子，随后进行热处理，使这些杂质原子聚集在长大的晶粒边界或者铜的表面，从而提高抗电迁移的特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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