[发明专利]一种避免使用中间层刻蚀阻挡层的双大马士革结构的实现方法无效
| 申请号： | 200310122901.X | 申请日： | 2003-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1555093A | 公开（公告）日： | 2004-12-15 |
| 发明（设计）人： | 胡恒声 | 申请（专利权）人： | 上海华虹（集团）有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/312;H01L21/314 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 滕怀流;陶金龙 |
| 地址： | 200020上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路制造工艺技术领域。采用两种材料性质完全不同的lowk材料用于双大马士革结构，充分利用不同材料间的不同特性所提供的很大的刻蚀选择比，去除了大马士革结构中两层lowk材料间的刻蚀阻挡层，同时还保证了工艺的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 避免 使用 中间层 刻蚀 阻挡 大马士革 结构 实现 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于集成电路后道制造工艺的双大马士革结构的实现方法，其特征是，孔一级的介质采用有机材料、槽一级的介质采用无机材料；或者孔一级的介质采用无机材料、槽一级的介质采用有机材料，或者同为有机材料或者同为无机材料，上述槽一级介质的介电常数不高于孔一级介质的介电常数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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