[发明专利]一种制作具有延伸闸极晶体管的方法有效
| 申请号： | 200310122918.5 | 申请日： | 2003-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN1635616A | 公开（公告）日： | 2005-07-06 |
| 发明（设计）人： | 杨濬哲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海隆天新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 竺明;谢晋光 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种制作具有延伸闸极晶体管的方法，其包含形成一绝缘层于半导体底材上，接着蚀刻部分上述的绝缘层以暴露部分的上述半导体底材，再形成第一复晶硅层于被蚀刻后的上述绝缘层之上。之后形成闸极氧化层于被暴露的半导体底材之上，随后形成第一光阻图案位于第一复晶硅层之上。执行第一次离子布植以形成漂流区域于半导体底材之中以及去除第一光阻图案。形成第二复晶硅层于上述绝缘层之上以构成闸极结构，后续接着形成第二光阻图案位于第二复晶硅层之上以及执行第二次离子布植以形成汲极与源极区域于半导体底材之中，位于漂流区域之侧。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 具有 延伸 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作具有延伸闸极晶体管的方法，该方法包含：形成一绝缘层于半导体底材上；蚀刻部分上述的绝缘层以曝露部分的上述半导体底材；形成闸极氧化层于被曝露的所述的半导体底材之上；形成第一复晶硅层于被蚀刻后的上述绝缘层之上；形成第一光阻图案位于该第一复晶硅层之上；执行第一次离子布植以形成漂流区域于该半导体底材之中；去除该第一光阻图案；形成第二复晶硅层于上述绝缘层之上以构成闸极结构；形成第二光阻图案位于该第二复晶硅层之上；以及执行第二次离子布植以形成汲极与源极区域于所述的半导体底材之中，位于所述的漂流区域之侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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