[发明专利]在集成电路器件的大马士革铜工艺中电容器制造的方法及其结构

摘要

本发明提供了一种形成集成电路器件用的金属－绝缘体－金属电容器结构的方法及其所得结构。本方法包括形成双大马士革结构，所述结构具有包括铜的第一导电部分，通过介电材料第一导电部分与第二导电部分隔开。第二导电部分在介电材料下通过第三导电部分耦合到第一导电部分。第一导电部分、介电材料和第二导电部分形成对于第三导电部分的充分平坦的表面。第一导电部分和第二导电部分通过第三导电部分耦合，形成第一极板。选择性地去除第一导电部分和第二导电部分间的介电材料，形成第一导电部分和第二导电部分确定的开口。在开口内形成绝缘层，形成电容器介电层。在绝缘层上形成高于充分平坦表面的铜层，形成第二极板。平坦化铜层以确定第二极板。

主权项

1.一种形成用于集成电路器件的金属-绝缘体-金属的电容器结构的方法，包括：形成双大马士革结构，其中所述双大马士革结构具有包括铜材料的第一导电部分，通过介电材料所述第一导电部分与第二导电部分隔开，所述第二导电部分在所述介电材料下通过第三导电部分耦合到所述第一导电部分，所述第一导电部分、所述介电材料和所述第二导电部分一起形成相对于所述第三导电部分的充分平坦的表面，所述第一导电部分和所述第二导电部分通过所述第三导电部分耦合，从而形成第一极板；选择性地去除所述第一导电部分和所述第二导电部分之间的所述介电材料，以形成所述第一导电部分和所述第二导电部分确定的开口；在所述开口内形成绝缘层，从而形成电容器介电层；在所述绝缘层上形成高于所述充分平坦的表面的铜层，以形成第二极板；并且平坦化所述铜层来确定所述第二极板。