[发明专利]硅基液晶显示装置的金属反射层的制作方法有效
| 申请号： | 200310122960.7 | 申请日： | 2003-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1635413A | 公开（公告）日： | 2005-07-06 |
| 发明（设计）人： | 李海艇;黄河;史望澄 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G02F1/1335;G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种硅基液晶显示装置的金属反射层的制作方法，在硅晶片基底上依次完成内部驱动电路、绝缘层，然后沉积金属反射层、复合阻挡保护层；并进行蚀刻图案化，露出驱动电路层的上表面；在复合阻挡保护层上沉积金属间介电层，填充蚀刻出的沟槽；进行CMP，停止于复合阻挡保护层的上表面；蚀刻去除复合阻挡保护层，露出金属反射层的上表面，因本发明具有上硬下软的双层结构的复合阻挡保护层，当遇到上层较硬的阻挡层时CMP就停止，而下层较软的保护层则可对金属反射层起到保护作用；避免了CMP对金属反射层的不良影响，保证了金属反射层的表面平整，从而能够制作出具有高质量的金属反射层的LCOS。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶 显示装置 金属 反射层 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅基液晶显示装置的金属反射层的制作方法，首先在硅晶片基底上完成内部驱动电路、并在驱动电路层上完成绝缘层的制作，其特征在于，该方法还包括如下步骤：a、在所述绝缘层上沉积用作金属反射层的金属；b、在所述金属层上沉积复合阻挡保护层；c、对所述复合阻挡保护层、金属反射层及绝缘层进行蚀刻，实现图案化，并露出驱动电路层的上表面；d、在所述复合阻挡保护层上沉积金属间介电层，并填充蚀刻出的沟槽；e、对所述金属间介电层进行化学机械抛光，并停止于所述复合阻挡保护层的上表面；f、通过蚀刻的方法去除所述复合阻挡保护层，露出金属反射层的上表面。
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