[发明专利]控制回蚀刻截面轮廊的方法和装置有效
| 申请号： | 200310122966.4 | 申请日： | 2003-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1635623A | 公开（公告）日： | 2005-07-06 |
| 发明（设计）人： | 吴汉明;邝亚镭;宋伟基 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/30;H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/82;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王怡 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种控制回蚀刻截面轮廓的方法和装置。包括：对第一介电层进行第一蚀刻，形成第一介层洞和第二介电层；用BARC材料填充第一介层洞，形成第一BARC层；对第一BARC层进行第二蚀刻，形成第二BARC层。第二蚀刻在第二BARC层的第一圆周形区域具有第一蚀刻率，而在第二BARC层的第一中央区域具有第二蚀刻率。第一圆周形区域环绕于第一介层洞侧壁，第一中央区域环绕于第一介层的中心。第一蚀刻率大于第二蚀刻率，第一圆周形区域高于第一中央区域。对第二介电层进行第三蚀刻，形成一个沟槽和第三BARC层。该沟槽的槽底面上明显没有任何环绕于第三BARC层侧壁的尖刺。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 蚀刻 截面 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种制作电接触窗的开口的方法，此方法包括：对第一介电层进行第一蚀刻，形成第一介层洞和第二介电层；用BARC材料填充该第一介层洞，形成第一BARC层；对该第一BARC层进行第二蚀刻，形成第二BARC层，该第二蚀刻在该第二BARC层的第一圆周形区域具有第一蚀刻率，而在该第二BARC层的第一中央区域具有第二蚀刻率，该第一圆周形区域环绕于该第一介层洞侧壁，第一中央区域环绕于该第一介层洞的中心，该第一蚀刻率大于该第二蚀刻率，该第一圆周形区域高于该第一中央区域，该第二BARC层的第一上表面明显具有第一凸形；对该第二介电层进行第三蚀刻，形成一个沟槽和第三BARC层，该沟槽具有一个槽底面，该槽底面上明显没有任何环绕于该第三BARC层侧壁的尖刺，该第三BARC层的第二上表面明显具有第二凸形；去除该第三BARC层，形成第二介层洞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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