[发明专利]薄膜处理方法和薄膜处理系统无效
| 申请号： | 200310123023.3 | 申请日： | 2003-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1512548A | 公开（公告）日： | 2004-07-14 |
| 发明（设计）人： | 大西正;滨学;本多稔;光冈一行;岩下光秋 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在现有的进行抗蚀剂膜和层间绝缘膜的成膜时，难以均匀地调整膜厚，例如如果使用旋转器涂布SOD膜，则如图9(a)所示，SOD膜的膜厚不均匀，这种状态原封不动保留。本发明的成膜方法如下：在从第一、第二、第三电子束管(43A、43B、43C)向形成在晶片W上的SOD膜照射电子束B时，根据图6(a)所示的膜厚分布，如图6(b)所示在每个块中控制第一、第二、第三电子束管(43A、43B、43C)各自的输出，变更剂量量。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 处理 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜处理方法，包括在从多个电子束管向形成在被处理体上的膜照射电子束而调整膜厚的工序，其特征在于：在所述工序中，根据所述膜厚的分布单独控制所述多个电子束管各自的输出或照射时间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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