[发明专利]一种在基板上转移制作薄膜的方法有效
| 申请号： | 200310123080.1 | 申请日： | 2003-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1632911A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 甘青;熊夏幸;李天锡 | 申请（专利权）人： | 联合晶圆公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种材料的制造方法，它用于将薄膜层自原始基板中分离并转移至目标基板表面上。本发明的方法是：(1)进行离子注入，将离子或分子注入原始基板表面，形成充满注入离子的分离层，(2)利用晶圆键合法，将所述原始基板与目标基板键结成键合结构体，(3)升高所述键合结构体至高于室温且使介电常数和损耗因子产生增加转变的恒温温度，在此温度范围内对该键合结构体进行离子激化处理，使注入的离子运动聚合成气体分子，填充于该气体分子所造成的裂缝中，进而(4)形成一层分离膜，分离该分离膜上的薄膜层并将其转移至该目标基板上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基板上 转移 制作 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜转移材料的制作方法，其特征在于所述方法包含下列步骤：提供一种原始基板；利用离子注入法，在所述原始基板内形成离子分离层，使得该原始基板通过所述离子分离层形成：一层薄膜层，该薄膜层为该原始基板中承受离子注入的区域；和一层余质层，该余质层为该原始基板中未注入离子的区域；利用晶圆键合法，将目标基板键合于该原始基板，使所述目标基板和该原始基板键结成键合结构体；以及将所述键合结构体加热至高于室温且使该构造体的介电常数和损耗因子产生转变的转变温度，施以高频交替电场或磁场照射处理该键合结构体，来分离该薄膜层与该余质层，使该薄膜层能够自该原始基板表面转移至该目标基板上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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