[发明专利]发光二极管元件与其形成方法无效
| 申请号： | 200310123254.4 | 申请日： | 2003-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1630108A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | 林照晃;吴伯仁 | 申请（专利权）人： | 洲磊科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 文琦;陈肖梅 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种发光二极管元件与其形成方法。此发光二极管元件具有菱形轮廓，其电极位于菱形较长的对角线两端，因此其电极距离较远且发光面积仍够大。因形成菱形轮廓且顺着基板的自然劈裂面进行，使制造过程中的合格率大为提高。此外，该发光二极管元件并可以做成较小的覆晶封装元件。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 元件 与其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管元件，该发光二极管元件包含：一底材；一具有菱形轮廓的多层化合物半导体结构，该多层化合物半导体结构位于该底材上，其中该菱形轮廓的一对平行边与该底材的易劈裂方向平行；及分别位于该菱形轮廓较长的对角线二端的一第一电极与一第二电极，使电流分布均匀。
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