[发明专利]预载等离子体反应器设备及其应用无效
申请号: | 200310123278.X | 申请日: | 2003-12-22 |
公开(公告)号: | CN1516233A | 公开(公告)日: | 2004-07-28 |
发明(设计)人: | 理查德·怀斯;马克·C·哈基;西德哈撒·潘达;博米·A·陈 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/205;H01L21/3065;C23C16/513 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 封新琴;巫肖南 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种预载的等离子体基加工系统,其包括预反应等离子体加工室、与预反应等离子体加工室可操作地连接的能源和与预反应等离子体加工室流体连通的晶片等离子体加工室。预反应等离子体加工室的结构设置成使反应试剂物质发生等离子体基化学反应,形成反应性自由基。晶片等离子体加工室的结构设置成使反应性自由基与放置在晶片等离子体加工室内的晶片表面上的物质反应。其它实施方案包括在等离子体环境中加工晶片的方法及预载反应性气体流以防止晶片掩模或停蚀层腐蚀的方法。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 反应器 设备 及其 应用 | ||
【主权项】:
1、一种等离子体基加工设备,其包括:预反应等离子体加工室,所述预反应等离子体加工室的结构是能够使反应试剂材料和停蚀材料发生等离子体基化学反应;与所述预反应等离子体加工室可操作地连接的能源,所述能源的结构是能够将所述反应试剂材料和所述停蚀材料的反应产品转化成反应性自由基;和与所述预反应等离子体加工室流体连通的晶片等离子体加工室,所述晶片等离子体加工室的结构是使所述反应性自由基与放置在所述晶片等离子体加工室内的晶片表面上的物质反应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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